Ключевая особенность
● Диапазон рабочих частот 50–1018 МГц. |
● Усиление 42 дБ. |
● Широкий динамический диапазон усиления, диапазон регулировки усиления 34 дБ. |
● Поддержка оптического диапазона 20 дБм Один источник питания, один источник питания +5 В. |
● Управляющее напряжение АРУ 0–3 В. |
● Низкое энергопотребление, 210 мА для одного ВЧ-выхода при напряжении питания 5 В. |
● Корпус QFN4X4-24L, не содержащий свинца и соответствующий требованиям RoHS. |
Усилитель с переменным коэффициентом усиления AVG1012
AVG1012 компании Sanland — это усилитель с переменным коэффициентом усиления и аттенюатором. Усилитель имеет высокую линейность, достигаемую за счет использования режима улучшения GaAs 0,5 мкм. Процесс pHEMT. Он помещен в миниатюрный 24-контактный четырехконтактный бесвыводный корпус (QFN) размером 4,0 x 4,0 мм. Он предназначен для оптимального использования в диапазоне от 0,05 ГГц до 1018 МГц. Компактный размер и низкий профиль в сочетании с высоким коэффициентом усиления и высокой линейностью делают AVG1012 идеальным выбором в качестве усилителя для сетей CATV и FTTH.
Тип | Ниже по течению |
Минимальная частота (ГГц) | 0,05 |
Макс. частота (ГГц) | 1.0 |
Усиление (дБ) | 42 дБ |
CSO(дБн) | -63 |
СТВ (дБн) | -70 |
НФ (дБ) | 1,5 |
Напряжение (В) | 5V |
Ток (мА) | 190 |
Тип упаковки | QFN |
РоХС | Да |
Без свинца | Да |
Без галогена | Да или нет |
Основные приложения
Электрические характеристики для применения:
Параметр | Спецификация | Единицы | Примечания | ||
Мин | Тип- | Макс | |||
Прирост | - | 42 | - | dB | 50-1018 МГц |
Диапазон регулировки усиления | - | 34 | - | dB | 0-34 |
Управляющее напряжение АРУ | 0 | - | 3 | V | |
Выходные обратные потери | - | -15 | - | dB | 50-1018 МГц |
СТВ | - | 70 | - | dB | Тестирование при входной оптической мощности -8 дБм. 60 каналов PAL-D DS22.OMI=3,5% на канал |
ОГО | - | 63 | - | dB | |
CNR | - | 44 | - | dB | |
МЭР | - | 38 | - | dB | Результаты испытаний с использованием 99-канального цифрового сигнала. Входная оптическая мощность -8 дБм, 2560 AM. |
ВДД | - | 5 | - | V | - |
IDD | 190 | 210 | 230 | mA | Вдд = 5,0 В |
Условия испытаний: VDD=5 В, IDD=210 мА. | |||||
TL=25℃, ZL=75 Ом, частота: 0,05–1018 МГц. |